日本半導體產業這令人唏噓的興衰背後，究竟發生了什麼？

起家：從依賴進口到自主研發 日本索尼公司的官網上至今都掛著這樣一段歷史，該公司創始人之一井深大1952年在美國進行為期3個月的調查旅行，期間聽說了西方電器公司(WE)有意轉讓晶體管專利，但代價高達25000美元，這相當於日本東京通信工業公司(索尼前身)總資產的10%，儘管心生嚮往，但井深大最終帶著遺憾回國。 索尼的另一創始人盛田紹夫後來於1953年赴美談判，最終拿下了這項技術。 但他們並沒有採納WE的建議——將晶體管用做助聽器，而是摸索出一個全新的應用領域。 1955年，索尼研製出全球第一台晶體管收音機。 1959年，索尼收音機銷售額達250萬美元。 日本公司紛紛效仿。 到1965年，日本的收音機出口量達到2421萬台。 另外，電子計算器和電視也撬動了美國市場的大門。 日本消費電子在美國市場獲得成功，不僅因為其產品創新和性價比高，還與美國的政策有關。 當時美國將電子產業的重心轉移到了軍用上，這為日本的民用電子產品提供了機遇。 到1960年代，日本半導體產業繼續追趕美國。 當時，日本政府以關稅壁壘和貿易保護政策為產業的起步“保駕護航”。 但外資開始“叩響”大門，終於在1968年，美國德州儀器以合資的模式進入日本市場，但得遵守嚴苛的技術轉讓等限制。 當時日本國內半導體製造設備的國產化比率只有20%，美國的反制措施讓日本半導體產業意識到自身的被動。 其一，IBM在1970年宣布將在其新推出的大型計算機中使用半導體存儲器，半導體存儲器開始替代磁芯，在半導體存儲器中佔據重要位置的DRAM內存芯片，成為潛力無限的大市場。 一夜之間行業遊戲規則大變。 其二，美國拒絕向日本提供IC集成電路，使日本電子計算器在美國的市場份額從繁盛時期的80%跌至了1974年的27%。 由此，日本開始以“舉國之力”來進行自主研發。 一個官產學研發項目徹底改變了日本半導體產業的地位。 這個項目就是日本通商產業省(經濟產業省前身)發起成立的VLSI共同研究所(超LSI技術研究組合)，“打造未來計算機必不可少的大規模集成電路”這一口號也顯示了日本的巨大野心。 日本通產省將市場中的各大競爭對手(富士通、日立、三菱電機、東芝和NEC)的研發人員集結起來，總計投入700億日元，政府出資290億日元(幾乎相當於當時通產省補貼支出的一半)。 上述項目在4年到期後，取得專利1000多項。 VLSI共同研究所所長、有日本半導體之父之稱的垂井康夫設定的方針或許總結了成功的秘訣：競爭者們能否互相協作是一個大問題，那麼我們就以“基礎的、共通的”為方針，從各家公司的共同點出發，來研發、制定未來的大規模集成電路技術。 1970年代日本對美國等外部的關鍵製程設備和生產原料依賴率達到80%，而到1980年代初，日本半導體製造裝置國產化率達到了70%以上，為日後超越美國成為半導體業霸主奠定了基礎。 由此日本半導體業開啟了“黃金時代”，全球市場份額不斷上升，在世界範圍內開始具有舉足輕重的地位。 以1980年投入市場的64K DRAM為例，1981年，日立市場佔有率全球第一，佔40%的份額；第二位是富士通，佔20%，NEC佔9%。 之後，NEC主導了256K時代，東芝主導了1MB時代。 到1986年，日本半導體企業在全球DRAM的市佔率達到了80%，超越了美國。 這一時期的日本產業發展主要靠出口。 1970-1985年的15年間，日本該產業的產值增加了5倍，出口增加了11倍。 轉折：由盛而衰背後是未能抓住規模化機會 禍兮福所倚，福兮禍所伏。 1980年代後期，日本的DRAM市場份額開始大幅衰退，根本原因是DRAM市場結構發生巨變，頻繁發生的貿易摩擦也一定程度上阻礙了行業發展。 日本企業在早期大型計算機所用的存儲器上有技術優勢，看重的是存儲器的品質。 但1980年代後期，隨著個人電腦市場蓬勃發展，對存儲器的可靠性和壽命要求較低，更側重於低價。 但日本當時依舊以高可靠性為生產標準，未能很好地適應市場變化。 有業內人士指出，儘管當時日本公司看到了個人電腦市場的動向，但仍執著於成品率，在降低成本方面比較欠缺。 對比日韓的半導體公司會發現，韓國公司在成本上大幅領先於日本公司，生產同樣的元器件，日本公司使用的設備數量竟是韓國的2倍，生產流程過長，進而無法降低成本。 另有分析指出，這也和日本製造商沒有採取Fabless模式有關。 這種水平分工的發展模式可以使專業公司專注設計，代工廠專註生產，可以對市場變化做出迅速反應，將機器折舊影響到的成本劣勢降到很低。 “日本的半導體製造大多仍是大集團下的子部門，儘管個別產品有不錯的成績，但在品牌佔有率達到一定程度後，該模式無法再有效推升其半導體的零組件往下一個里程碑前進。Fabless模式是半導體產業在規模經濟發展下的必然走向。而以日本的發展模式來看，與其說錯失了市場的大變化，不如說半導體發展有很強的規模經濟作為營運支撐，而日本製造商未能發展出具有相對應經營型態與經濟規模的廠商，造成其競爭力不斷被削弱。”集邦拓墣產業研究院研究經理林建宏對21世紀經濟報導記者表示。 此外，日本半導體產業也受到了外部貿易摩擦的影響。 日本半導體業的不斷崛起，讓美國同行危機感攀升。 這可以從媒體報導窺見一斑。 1978年，美國《財富》雜誌刊登了《矽谷的日本間諜》的報導；1981年3月和12月，又兩次刊登報導敲響美國半導體行業的警鐘。 1983年，《商業周刊》雜誌刊登了長達11頁的《芯片戰爭：日本的威脅》的專題。 隨著日本廠商的大量產能進入市場，供給嚴重過剩引發了全球DRAM的價格暴跌。 1985年6月，美國半導體工業協會(SIA)向美國貿易代表辦公室提起對日本半導體產品傾銷訴訟；此後，美光向美國商務部提起日本64K DRAM傾銷訴訟。 “日美半導體戰爭”正式開戰。 這場戰爭最終以“日美半導體協定”了結。 協定內容主要包括改善日本市場的准入和終止傾銷。 美國加快推進研發，成功奪回寶座。 到1993年，美國半導體公司的世界份額重回世界第一，並保持至今。 由於外部貿易摩擦激化，日本公司開始向內需拉動的增長模式轉型。 在1985-2000年的15年間，日本電子產業的產值和出口增加了1.5倍，而內需增加了2倍多。 在1990年代初，日本經歷了泡沫經濟崩潰，進入“失去的20年”。 2000年以後，日本GDP增長停滯，日本電子產業總體出現衰退。 2013年日本電子產業的產值是11萬億日元，不到峰值時(26萬億日元)的一半。 “1980年代末，日本經濟達到了全球第二，美國以廣場協議和日美半導體協定來施壓，這大幅打壓了日本企業的獲利能力。而韓國趁勢舉國家之力來發展半導體行業，不久後日本經濟泡沫破裂，補貼難以維繫。”顯示及半導體行業諮詢機構CINNO副總經理楊文得對21世紀經濟報導記者表示，半導體行業發展和一國的宏觀經濟情況息息相關，因為這是資金超級密集的產業，需要持續的、大規模資金投入才會成功。 當一國經濟整體不景氣時，就難以大力支持其發展。 重振：結構性改革和重啟“官產學”項目 日本半導體產業試圖以結構性改革和重啟“官產學”項目來重振旗鼓。 在日本通產省的主導下，1999年，日立和NEC的DRAM部門整合成立了爾必達(Elpida)，三菱電機隨後也參與進來，而其他日本半導體製造商均從通用DRAM領域中退出，將資源集中到具有高附加值的系統集成晶片等領域。 Elpida是希臘語“希望”的意思，這個公司名體現了日本半導體產業對這最後的DRAM製造商所寄予的厚望。 無奈，“外面的世界”瞬息萬變。 2008年金融危機後，全球需求驟降，DRAM供應嚴重過剩，2GB的DRAM在2008年的價格為20美元以上，而2012年則跌至1美元以下。 全球DRAM生產商都陷入嚴重赤字，爾必達也不例外。 日本政府在2009年伸出援手，注資並為其擔保獲得日本政策投資銀行融資。 但終究頹勢難挽，爾必達不堪負債最終於2012年2月底宣布破產，2012年7月被美光併購。 一位日本半導體從業者向21世紀經濟報導記者表示，自然災害對日本半導體產業發展有一定的影響。 3·11大地震加速日本半導體產業競爭力下滑。 “我們公司在地震中也損失慘重，股價一路下跌，直到前兩年重組又建廠才恢復正常的產量。股價也翻了三番。半導體生產對環境要求很高，要無塵穩定的環境下才能製作出精良產品。”該日本半導體業內人士表示。 但也有分析指出，爾必達的失敗是日本半導體產業重蹈覆轍，即跟不上行業的變化，上次是跟不上個人電腦市場的崛起，這次是跟不上電腦向智能手機和平板電腦的轉向。 “日本企業一般精於鑽研技術，但對外界變化的應對能力比較遲鈍，因為其內部通常較為官僚化、決策過程慢。其過去30年的成果其實是在外部沒有很多勁敵的情況下取得的，當面臨更多競爭對手時，這種專注但又反應遲緩的弱點就會被放大。”楊文得說。 日本啟動了多項官產學項目，包括飛鳥(Asuka)計劃、未來計劃MIRAI、HALCA等。 2006年，日本推出新的五年計劃，被視為ASUKA計劃的延續。 新五年計劃分兩部分：一是SELETE五年研發項目，每年投資預算100億日元，探索45納米和32納米實際應用工藝。 另一部分是STARC五年研發計劃，每年投資預算50億日元，用於開發DFM設計平台。 儘管日本半導體業的輝煌已成為歷史，目前的全球市佔率已不到10%，但在一些細分領域仍然扮演著重要角色。 “日本在材料、精密機械、基本的物理化學數學等的科研能力與廠商都仍有影響力。歷史累積的專利與專業人才都仍然很強。只要資本與公司運作的模式對了，若能抓到下一波重大商品的轉變點，日本的半導體產業仍會有很好的競爭力。”林建宏說。 “半導體是一個集成性的行業，一個芯片的產生需要近一萬人的工作量，同時需要多年的經驗積累才有創新。日本半導體根基很深，目前可能發展得比較慢，但其基礎仍在，要翻身就看國家以後對半導體行業的投入。”上述日本半導體業內人士表示。 21世紀經濟報導 4.日系存儲雙雄：爾必達的末路東芝的退路； 6月1日，東芝公司宣布旗下半導體業務部門的出售交易正式完成。 歷時8個月，全球第三大NAND廠商的出售一事終於畫上句號。 作為全球十大半導體廠商中最後的日本元素，存儲已是東芝這家143歲的老牌日企最具盈利能力的業務部門，但深陷財務泥潭的東芝不得不做出壯士斷腕之舉。 不過，和幾年前DRAM的大潰敗相比，日本半導體產業在NAND領域還留有顏面：通過該項交易獲得的2萬億日元(約合180億美元)東芝將極大改善財務狀況；此外，東芝也通過再投資的方式保有了東芝存儲40.2%的股份。 而就在2012年，日本半導體產業曾經的另一張名片——爾必達曾在當年2月申請了破產保護。 同年7月，美國半導體廠商美光科技宣布以25億美元的“白菜價”收購爾必達，日本最後的DRAM廠商黯然退場。 留得青山在，未來仍可期 爾必達和東芝存儲的故事，在日本半導體產業的衰落之中頗具代表性：前者本就是多家日本電氣巨頭各自剝離旗下存儲芯片業務的產物，其成立本身就具有強烈的政府保護色彩；後者則是閃存誕生之初，東芝員工發明的NOR和NAND兩種類型的閃存如今合計已佔據存儲市場的45%。 不過該次出售某種程度上對東芝和東芝存儲都會是一項利好：前者壯士斷腕留得青山，保住日本製造的金字招牌，以期未來在其他領域繼續發力；後者則可背靠貝恩充足的資金支持，最大化其技術優勢，在存儲市場進一步同三星等廠商抗衡。 在東芝和貝恩先後發佈公告表示已通過全部所需的反壟斷審查時，韓國三星證券分析師Hwang Min-seong就曾表示，東芝是三星電子目前在相關科技方面的唯一競爭對手，隨著東芝半導體在出售後的後續調整重組，該產業將面臨諸多策略性調整。 “東芝在技術能力上的確是唯一能夠和三星抗衡的存在，本來美光和英特爾的組合或許也可以，但它們之後會分家，不確定目前的研發實力是否會被分散。”集邦諮詢半導體產業首席分析師陳玠瑋對21世紀經濟報導記者表示。 陳玠瑋指出，目前東芝在96層NAND Flash的發展進度與三星相當，兩者計劃的量產時間均放在了今年第四季度。 “貝恩資本投入後，東芝存儲在未來的投資規劃上，不再會像之前一樣因母公司其他部門表現不佳而拖累，貝恩的加入是正向的。”他表示。 “大企業病” 芯謀研究首席分析師顧文軍對21世紀經濟報導記者指出，探究日本半導體產業的衰落，“大企業病”是其中的關鍵。 東芝存儲的故事正是“大企業病”的一面。 1993年、2000年、2006年和2016年，東芝分別在全球十大半導體廠商中位列第三、第二、第四和第八，是僅存的依然處於領導地位的日系半導體廠商。 然而，母公司在2006年對西屋電氣的收購為日後嚴重的財務危機埋下了伏筆。 2011年，日本福島核電站事故引發了全球範圍對核電建設計劃的謹慎，不少項目開始重新評估，東芝核電業務遭遇嚴重困境。 2016財年，東芝淨虧損高達9657億日元，已是連續第三年虧損，面臨被東京證券交易所摘牌退市的風險，出售東芝存儲成為了公司斷臂求生的選擇。 相較之下，日本DRAM廠商爾必達更令人唏噓。 儘管在2011年第四季度依然在DRAM市場保持著12%的佔有率，掙扎多年也未能走出虧損泥沼的爾必達依然在2012年2月申請了破產保護，並在3月被東京證券交易所摘牌退市。 2012年7月，美光科技宣布了對爾必達的收購。 2013年6月，爾必達正式成為美光科技子公司，其最後一期市場佔有率統計定格在了2013年第二季度的15.2%。 “這些日本企業經營著各類產品和業務，資源也就非常分散。如果哪個業務部門表現不佳，很可能就會被拋棄。”顧文軍錶示，“半導體業務相對來講產值較小，很難成為一家日本企業的核心業務。” 爾必達的成立就是一例。 1999年，受困於經濟衰退引起的DRAM價格急劇下滑，NEC和日立分別剝離旗下存儲芯片業務，成立了新的DRAM公司爾必達。 2003年，爾必達繼續併入了三菱電機的DRAM業務部門。 自此，曾在IC Insights 1993年的全球十大半導體廠商排名中分別位列第二、第五和第八的三家日本半導體廠商的DRAM業務匯集在了一起。 2004年，爾必達在東京證券交易所上市。 在經歷了早期的大跨度擴張後，爾必達市場佔有率和產能均大幅提升，並在2006年進入半導體前20強。 但自2007年起，因產能過剩，DRAM市場價格開始急劇下滑。 2008年金融危機又導致全球DRAM需求繼續大幅減少，產品價格進一步下滑。 IC Insights數據顯示，2008年，DRAM顆粒價格由2007年的2.57美元驟降至1.83美元，降幅近30%。 2009年，進一步降至1.74美元。 儘管日本政府在2009年通過《產業再生法》修正案，共計向爾必達提供了1300億日元的援助。 但在韓國公司強勢崛起的巨大衝擊和日元連續升值的影響下，爾必達終究沒能走出困境。 其破產前於2012年2月發布的財報顯示，公司僅2011年4月至12月虧損就達到989億日元，至2012年3月底，總負債達4480億日元。 求精不求變 爾必達也曾有過一次抓住救命稻草的機會。 作為歐美僅存的DRAM企業的美光科技一直在努力尋求更多的產業合作，以和韓系廠商形成抗衡。 2012年1月前後，美光與爾必達的聯手本已基本談成。 但屋漏偏逢連夜雨，美光時任CEO Steve Appleton突遭飛機失事遇難，美光和爾必達在最為關鍵的價格問題上需要重新進行討論，談判被迫推遲。 不久之後，爾必達即宣告破產。 但這只是壓垮爾必達的最後一根稻草。 顧文軍認為，日系半導體廠商的衰落不能簡單歸結為企業經營不善，還有很多深層原因。 日本獨特企業文化下的人員流動較少或是其中之一。 “這種從入職到退休的終身僱傭模式，以及日本企業中存在的等級觀，一定程度上壓制了年輕人的成長。”顧文軍錶示，“半導體行業變化非常快，這種現像明顯不利於新鮮血液的補充，也就影響了企業的創新和技術進步。” 此外，兩大日系存儲廠商未能及時捕捉到市場變化趨勢，均陷入了“求精不求變”的困局：東芝未能把握技術先發優勢，將領先地位拱手讓人；爾必達則是繼續專注DRAM，寄希望於單純通過技術上的精進在競爭中獲勝。 東芝半導體研發部門負責人Fujio Masuoka分別在1984年和1987年成功發明了NOR和NAND兩種類型的閃存。 但NOR在當時並未引起日本產學研界的重視，反而是遠在矽谷的英特爾迅速與東芝簽訂交叉授權許可協議，並在1988年成功推出了世界上第一個商用閃存芯片。 東芝製成NAND之時，三星電子正在和苦於資金周轉的東芝進行聯合開發提議的談判。 前者再次錯判了NAND閃存的前景，認為這短期無法帶來利益，而與三星的合作能立刻擴大生產規模，以降低成本、拓展市場。 三星實現了後發製人，在NAND市場上長年壓制東芝，穩坐第一大NAND廠商的王座。 2018年第一季度，三星和東芝在NAND市場分列第一、第二，佔有率分別為37%和19.3%。 爾必達則是忽視了閃存市場的增長。 2011年第一季度，DRAM市場規模為82.9億美元，到2018年第一季度，該市場增長至了230.8億美元；同期，NAND市場規模從53.63億美元增長至了157.41億美元，增速同樣迅猛。 此外，SEMI在2015年發布的數據顯示，當年全球3D NAND市場規模達到了52億美元，而到2022年這一數字將達到390億美元。 分析指出，隨著智能手機、平板設備的興起，NAND閃存正在衝擊著傳統內存的需求，而爾必達長期堅持出售存儲顆粒這一較為單一的業務模式，限制了利潤率的提升。 2008年3月，爾必達時任CEO坂本幸雄還曾表示，公司在技術研發方面的投入，將使爾必達能夠在DRAM市場中佔據領先地位。 他認為，公司可於2010年將三星從DRAM市場的龍頭寶座擠下。 當時，爾必達還在積極投資擴產，並表示將在未來三年保持每年2座12英寸厂的擴增速度。 其後，爾必達在2010年宣布其成功研製出全球首款基於40nm製程的4-gigabit DDR3內存，又在2011年宣布成為全球首個掌握了25nm製程的DRAM廠商。 2012年2月，在申請破產保護之前，坂本幸雄還曾表示，在DRAM市場上能夠倖存到最後的是爾必達這樣擁有技術實力的公司。 21世紀經濟報導 5.8英寸晶圓產能供不應求，這場搶奪戰有看頭 兩岸8英寸晶圓代工報價第3季確定調漲，6英寸晶圓代工價格亦蠢蠢欲動，被迫接受漲價的台系IC設計廠商表示，能在2018年下半卡位8英寸及6英寸成熟製程產能才是重點，近期兩岸8英寸晶圓廠開始出現久違的人脈牽線大搶產能的盛況，不管是透過學長、學弟關係，或是過去同事、上司及部屬情誼，紛紛都被翻了出來，目的就是希望在晶圓產能緊缺之際，能多爭取一些產能來協助自家公司打開產品、市場及客戶通道，並帶動公司營運走強。 面對8英寸晶圓產能明顯供不應求的情形，加上車用電子、物聯網相關芯片訂單持續大舉湧進，以及8英寸晶圓代工產能面臨機台難買、擴充不易的瓶頸，使得8英寸晶圓產能不足現像已從短期壓力，逐漸拉長為中期趨勢，晶圓代工價格調漲已不是芯片廠商急迫考量的問題，現階段更重要的是擁有充足產能，才是在終端芯片市場致勝關鍵。 台系IC設計廠商坦言，目前客戶在考慮芯片採購的條件時，有沒有貨才是先決條件，過去全球半導體發展過程已一再證明，芯片缺貨之際，新進市場的芯片供應商才能有所作為，面對當前上游晶圓代工產能緊缺情況，能夠交出貨的IC設計公司自然會有訂單上門，在有貨就是贏家的當下，業界預期兩岸半導體供應鏈透過人脈牽線大搶產能的競局將持續進行。 台系MCU供應商強調，儘管整個芯片成本僅佔終端產品約20~30%，其中又細分好幾種芯片，即便自家MCU性價比和外商相較有20%的價差，但對於客戶而言，成本變動僅約1%上下，除非到最後關頭，否則客戶願意採購新芯片解決方案的興趣通常不高。 不過，當芯片出現缺貨壓力，或是客戶為壓低原芯片供應商報價，策略分散芯片來源，就可能採用新的芯片解決方案，其中，若是客戶欲策略分散芯片來源，通常是曠日廢時，芯片廠往往會變成客戶的棋子、任人擺佈，但若是因為芯片出現缺貨壓力，那就不用擔心客戶的刻意挑剔，以及競爭對手的干擾，甚至客戶還會親自護航，確保有足夠的芯片產能。 隨著兩岸8英寸晶圓代工產能水漲船高，芯片供應商擁有產能才敢大聲搶單情況下，各家芯片廠紛大顯神通，不僅派員在台積電、世界先進等晶圓廠長期駐廠排隊，包括聯電、中芯及華虹等亦是門庭若市，現在甚至連力晶、茂矽、漢磊亦看到長長的人龍，凸顯有晶圓產能才是王道的產業現實。 面對2018年下半8英寸晶圓產能緊缺壓力，包括聯詠、聯陽、聯傑、智原及原相等聯家軍IC設計公司，可望具備潛力趁勢追擊，至於力積、晶相等力晶轉投資IC設計公司，以及華邦轉投資的新唐，亦有子憑母貴的實力，在多爭取一片晶圓就等於多一些芯片市佔率的關鍵時刻，兩岸半導體產業界透過人脈牽線力搶產能的盛況，短期內仍將持續湧現。 DIGITIMES 6.矽晶圓供貨吃緊，世界先進：貨源充足 晶圓代工大廠世界先進14日召開股東會，面對矽晶圓供貨吃緊與漲價問題，競爭對手聯電已首度表示會將矽晶圓漲價所造成的成本增加部分轉嫁給客戶，採取一次漲足策略，董事長方略則說，世界先進與供應商、客戶多年來合作關係良好，目前掌握足夠矽晶圓，不會有缺貨問題，矽晶圓漲價問題則會持續與客戶溝通，會採取機動因應策略，適時反應成本。 方略表示，2018年全球GDP成長較2017年為佳，估達3.7%的水準，半導體產業整體產值成長約可成長4%，達4,270億美元規模，而晶圓代工領域在先進製程需求的帶動下，約有3%的成長，達590億美元，其中有162億美元來自8英寸晶圓代工的貢獻，約有2%的年成長率，整體而言，整體經濟情勢穩定，加上世界先進接單暢旺，8英寸產能滿載，樂觀看待下半年運營表現。 此外，世界先進在顯示器相關驅動IC，電源管理IC 和分離式功率元件的運營已見績效，為了分散產品及市場集中度，進一步降低運營風險，目前積極往高毛利市場耕耘，除既有的高壓模擬、BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)、超高壓製程外，也持續加速感測元件、指紋辨識IC、高功率電源管理IC和嵌入式存儲器平台等計劃的執行，以因應節能減碳時代的來臨且滿足車用電子和物聯網市場需求。 同時也全力引進更多IDM客戶群，提高國外客戶比重的計劃也將持續進行，希望藉由深化客戶長期夥伴關係，進而確保特殊晶圓代工的領先地位，並成為全球晶圓代工領域中高壓及功率半導體製程的領導廠商之一。 而對於近期挖礦需求降溫，方略則說，世界先進專注特殊晶圓代工領域，主要提供各類製程與客戶設計生產電源管理IC與LCD面板驅動IC等各項運用，並持續與客戶合作開發BCD以及高壓／超高壓的製程，而挖礦用的特殊應用芯片(ASIC)主要是採用先進製程，為高速運算芯片，世界先進並未著墨太多，因此需求升跌並未帶來影響。 只有8英寸晶圓廠的世界先進，目前產能持續滿載，基於客戶需求和未來成長性，方略表示已積極評估各種成長方向，除現有3座8英寸晶圓廠會採取提升效率等方式持續擴充產能外，新建或購買12英寸厂也是評估選項之一，但目前仍未確定。 2017年運營狀況方面，由於受到新台幣匯率變動的影響，世界先進合併營收為新台幣249.1億元，較2016年258.3億元減少3.6%。 此外，全年平均毛利率約32%，稅後淨利約45億元，每股稅後(EPS) 2.73元，不及2016年3.35元。 2017年全年資本支出約為新台幣18億元，全年生產產能約為234.2萬片，年增4%，產能利用率89%，晶圓出貨量達到209萬片。 為持續提升製程技術及進行產能擴充，2018年資本支出預估略增至新台幣21億元，預估2018年產能為239.2萬​​片，年增2%。 受到電源管理IC客戶庫存調整及新台幣升值等影響，世界先進2018年第1季合併營收約為64.25億元，較2017年第4季略增0.8%，與2017年同期相比小幅成長2.6 %，毛利率32.2%，較2017年第4季33.9%減少1.7個百分點，稅後淨利11.48億元，季減5.7%，年減0.2%，EPS 0.7元，略低於2017年第4季0.74 %，與2017年同期持平。 展望第2季，隨著電源IC客戶庫存調整結束，需求逐步回升，以及IT面板受惠電競需求成長，驅動IC相對穩定，世界先進預估合併營收約介於67億~71億元之間，毛利率約31.5~33.5%，營業利益率介於21~23%之間，第2季產能將較首季增加6%，單月約19.8萬片。 整體技術發展方面，顯示器驅動芯片的技術開發部分，0.2微米、0.18微米、0.15微米、0.11微米高壓製程，以及專供於觸控面板的0.16微米及0.18微米附加嵌入式非揮發性存儲器的高壓製程均已導入量產；電源管理IC的BCD製程部分，0.5微米、0.4微米、0.35微米、0.25微米、0.15微米及0.11微米BCD製程均已導入量產。 更新第二代的0.5微米超低導通阻值、製程精簡的超高壓和0.25微米SOI製程也已完成開發，並與特定客戶完成產品設計及進行量產。 此外，0.5/0.4微米SOI製程也已通過車用電子相關驗證，累積出貨量已達一定規模，深耕車用電子市場效益漸顯；另應用於電容式指紋辨識的0.18um/0.15um IC製程已導入量產，而應用於光學式指紋辨識的0.18um IC製程，已有客戶開發完成，並順利整合在智能手機上，成功展現最新的光學式指紋辨識功能。 另受關注的是，5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導體製程成為功率放大器(PA)市場主流技術， GaN功率元件也開始應用在車聯網及電動車領域。 據了解，世界先進於2015年開始投入開發GaN技術，與設備材料廠Kyma、轉投資GaN矽基板廠QROMIS合作，2017年底已成功試產8英寸GaN晶圓，但目前仍有新材料與成本等問題待克服，預計2019年才會明顯放量。 在全球晶圓代工營收及排名方面，據調研機構Gartner統計，2017年全球晶圓代工(含Pure Play和IDM)市佔龍頭為台積電，營收成長9%，市佔率小幅衰退至53.8%，GlobalFoundries以8.9%市佔位居第二，緊追在後的聯電是8.2%，三星電子(Samsung Electronics)與中芯國際分居四、五名，而TowerJazz透過購併產能及產品組合優化，年營收成長14%為第六名，力晶科技則以1.9%市佔位居第七名，世界先進位居第九名，市佔率約1.4%。 世界先進股東會14日股東會通過2017年財報及盈餘分派案，EPS為2.75元，每股配發3元現金股利。 DIGITIMES