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| 2008/08/22 17:14:18瀏覽7414｜回應1｜推薦1 | |
Flash的寫入是比較囉嗦的，除了要先做Erase，還要下一連串的command才能寫入，同時還很慢，很花時間，下圖是AMD的AM29LV800B的部份規格，spec上都有說到，
這裏就不說詳細的程式該如何寫了，假設大家都會寫程式，規格內有maximum的保證完成時間，有的人就會使用這個規格來使得自己寫出的flash寫入程式會正常運作，不過這有了一個問題，最大的sector erase time是15秒，裡面有一、二十個sector，假設有18個sector，那光erase就要等上270sec=4.5分鐘，寫入更久ㄡ，要27秒，27*18=504=8.4分鐘，那嚇死人了，這種程式可以說毫無利用價值，是不正確的寫法。 應該是要利用該flash提供的某些程序，例如判斷DQ6這根腳會toggle來決定programming/erasing sequence完成，詳細方法請參考各個spec，使用這樣的方式可以降低好幾倍的時間，而且沒有問題，如此作法才是正確的寫法。 那這裡提供的秒數是幹什麼用的呢？此處是”最差狀況”，是讓我們估計用的，注意不同溫度、不同的電壓的寫入時間是大大不同的。
Flash還容易，spec上也有寫到該如何處理，那eeprom呢？以 除了電壓不同造成的寫入時間不同，這顆eeprom有512k/8=64kbytes，每個byte的寫入時間超長，最長的要 事實上是可以的，要使用I ready：Ack=0 busy： Ack=1 只要busy，就立刻跳回這個I For(i=0; i<10000; i++) { Start(); …… If(busy) Continue; …… Stop(); } 這種作法就可以讓時間大幅縮小數倍，不用再侷限於20ms的最差時間。 這樣其實還不夠，還要再使用page write，以此顆為例，一個page=128bytes，因為內部在寫入時，eeprom是以128bytes為單位的，換句話說，eeprom是準備寫128bytes的，只是內部還有一些其他機制，使得我們可以對單一byte動作而不會影響到其他byte的資料，既然eeprom都已經準備好了，而我們又準備寫入很多的資料，何必要浪費掉這樣的動作，當使用page write時，會加快很多很多。 不過要注意，page是以位置”0000h”來當基準的，就是0000h,0080h,00100h……，不是任意值，程式要小心這樣的處理，不同size、不同廠牌的page大小有可能不同，要仔細看spec，回頭看一下電子學裡面有關EPROM的那章，很容易就會體會到為什麼flash類的元件要做某些動作（例如要先erase才能寫等）。 還有最後要注意的一件事，FLASH, EEPROM, MCU內建的FLASH等，在做erase、programming等的動作時，要嚴禁突然中斷電源，因為在做此類的動作時，ic內部會先做電壓提升的動作，突然的斷電，會導致負載異常，所謂異常就是出乎意料，可能高可能低，那個提升的電壓降下也就罷了，就怕提升，可能讓元件損毀。 |
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| ( 心情隨筆｜工作職場 ) |
