题记：

晚上突然咳嗽，估计是久未在UDN露面了，被念叨了。今晚登陆一看，果然有女神姐姐大人留言问到偶“冬眠否”。呵呵，不管怎么说，更新下部落格也好，免得删了号。这两个新闻是偶觉得最近比较值得高兴的事情，也算是某个重要领域的进口替代或者核心产业的要点上大陆取得了一定的成绩。贴过来给大家分享。

其一：华为在北京正式推出了最新的智能手机芯片麒麟Kirin920

6月6日，华为在北京正式推出了最新的智能手机芯片麒麟Kirin920。该新品采用业界领先的8核big.LITTLE架构，支持TD-LTE/LTE FDD/TD-SCDMA /WCDMA/GSM共5种制式，全球率先实现LTE Cat6手机商用，支持峰值300M极速下载，性能、工艺、功耗、通信能力等各方面均达到业界领先水平。

作为全球领先ICT企业，华为从2006年开始启动智能手机芯片的开发，2012年推出的K3V2是最早真机演示、体积最小的四核处理器，成为首颗千万级规模的国产高端智能手机芯片。

而之后推出的麒麟处理器则全面采用了SoC（System on Chip，片上系统）架构，即在单个芯片上集成中央处理器、通信模块、音视频解码以及外围电路等一个完整的系统。同时，麒麟采用当前业界领先水平的28纳米HPM高性能移动工艺制程，满足高性能和低功耗的双重特性。

本次发布的麒麟Kirin920芯片采用8核big.LITTLE GTS（Global Task Scheduling）架构，完美地将4个ARM Cortex-A15处理器和4个Cortex-A7 处理器结合在一起，使同一应用程序可以在二者之间无缝切换，解决了高性能和低功耗之间的平衡，在大幅提升性能的同时延长了电池使用时间。

同时，为了满足日益兴起的智能穿戴等用户需求，在Kirin920里面还集成了一个智能感知处理器I3，能以极低的功耗运行，持续采集来自加速计、陀螺仪、指南针和接近光传感器等的运动数据，使得一些智能应用可以待机下一直运行。

在通信能力方面，Kirin920整合了华为的LTE Advanced通信模块，全球率先支持LTE Cat6标准，并领先业界一年推出单片支持40MHz频谱带宽技术，亦即支持20+20MHz的双载波聚合，FDD场景下数据传输速率峰值可达300Mbps。这颗SoC芯片同时支持TD-LTE/LTE FDD/TD-SCDMA/WCDMA/GSM 5种制式，以及全球所有主流频段，可实现在全球100多个国家的无缝漫游。

在音视频、游戏性能、图像处理等方面，Kirin920整体性能卓越。全球首款内置专业音频处理器Tensilica HIFI3，支持超高清语音编解码；支持H.265、4K等高清超高清视频全解码；GPU则采用了业界领先的ARM Mali T628MP4，市场上主流大型游戏都可流畅运行。

高端处理器的设计核心是解决性能与功耗的矛盾，华为芯片工程师在发布会上表示，Kirin920处理器除了采用了先进的big.LITTLE GTS架构、28HPM先进工艺外，更是针对CPU、GPU、DDR、ISP、Display等10余个模块做了详尽的功耗设计和仿真，全部实现了不用即停（auto-stop）的省电技术，其中A15核心更是达到当期业界体积最小水平。

今天，全球进入了ICT全联接时代，移动互联网正在深刻的影响着人们生活、工作的方方面面。海思CTO艾伟表示：“华为坚信芯片是ICT行业皇冠上的明珠，我们从一开始就选择了最艰难的一条路去攀登，通过持续投入核心终端芯片的研发，掌握核心技术，构建长期的、持久的竞争力，从而为用户提供最佳的使用体验。”

作为ICT领域的领导者，华为拥有业界最领先的网络环境，可以提供世界上最大规模的、最复杂的芯片调测实验室环境，加速了LTE等新技术的商用进程。

华为这两年在芯片领域的投入可谓是有目共睹，华为人的努力也受到了国人乃至国际上的一致赞许。经过多年的潜心努力，华为不仅在基带芯片上积累了强大的优势，在芯片设计整合各个模块上这次也获得了不小的突破，形成强势均衡发展的势头。

其二，中国南车造出中国首条8英寸IGBT专业芯片线

被业界认为现代变流工业“皇冠上的明珠”的关键技术在中国南车取得产业化突破：世界第二条，也是中国首条8英寸IGBT专业芯片线已经建成，最早将于今年下半年投产。

IGBT：高大上的名字 与生活息息相关

IGBT，一个很神秘、高大上的名字，它的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，它的译名并不比英文更容易理解：绝缘栅双极型晶体管。但这并不重要，只要记住，有了它，我们的空调、冰箱、洗衣机、吸尘器才可以运转，轨道交通、新能源汽车才可以使用。

在我们并不直接接触，但也与我们的生活息息相关的工业领域，像工业变流、航空航天、石油、冶金、船舶等，IGBT也发挥着重要作用。

简单来说，IGBT是一种实现电能转换和控制的电力电子器件。复杂一点说，用电设备终端都需要不同电压等级、不同电流大小，即不同功率等级的电力设备，这就需要大量采用IGBT等功率器件进行电能的转换和控制。比如在我们熟悉的高铁动车组，其电能的转换首先是将电网2.5万伏的高压交流电，经过降压、整流、逆变等方式，转换成可以调频调压的三相交流电，最后供给交流电机，这个过程称之为“变流”，最后输出的三相交流电供给交流电机，从而获得牵引整列高速动车组前进的牵引力。

IGBT在我们生活的基础领域——发电也是重要的存在。在发电领域，风、水、太阳能等能源发出的电是一种粗糙的、不可控的、不稳定的电能，就是我们俗说的“粗电”，而要想转换成精细的、可控的、稳定的能够并入电网的“精电”，进而适合不同功率电力设备，需要采用IGBT等电力电子器件实现对电能的品质转化，以风电为例，风机的叶片带动发电机旋转，发电机发出的频率往往不到电网频率的一半，因此需要用高压大电流的IGBT模块，重新产生稳频稳压的交流电。

这条生产线是中国南车旗下南车株洲电力机车研究所有限公司投产的。为了这条生产线，株洲电力机车投入了15亿元。首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。

国家多部委关注IGBT研发

IGBT，是一种实现电能转换和控制的电力电子器件，中文名叫绝缘栅双极型晶体管。自从1897年科学家发现“电子”这个物质后，人们一直在探索如何利用并控制这个神奇的粒子来造福人类，1904年，科学家发明了二极管，这标志电子学技术的开端。

早在1996年，当时的国家计委就把发展IGBT芯片及模块产业化作为重点项目，近年来更频频出台政策支持IGBT国产化项目，国家“863”项目、国家重大科技专项等一批“国字号”科研项目纷纷将IGBT技术的研制与产业化列为重大课题。

先进的IGBT设计技术与制造工艺是推动IGBT产业快速发展的源动力。自2010年开始，在国家发改委、科技部、工信部等部委以及地方政府的支持下，中国南车筹建国内首条专注于IGBT芯片的先进生产线，进一步提升工艺能力和产能，满足国内战略性新兴产业对IGBT器件的需求，打造一个支撑未来先进器件发展的工艺平台，提升我国在基础器件方面对未来的掌控能力。

行业数据显示，中国现已成为全球最大的电力电子器件消费市场，仅IGBT产品在国内的市场需求规模就已超过100亿元。但长期以来，全球IGBT技术主要掌握在国外少数几家企业手中，中国的IGBT芯片及其相关产品99%以上依赖进口，特别是在1200伏以上中高压IGBT技术及产业化能力上，与国外厂商仍存在较大差距。

近年来，通过资本运作和自主创新，中国南车迅速掌握了IGBT芯片设计及封装成套关键技术与工艺，成为国内唯一自主掌握集IGBT芯片、模块、组件、应用全套技术的企业。据中国工程院院士，南车株洲电力机车研究所有限公司执行董事、总经理丁荣军介绍，在技术方案、工艺路线、设备选型、产品开发等方面，中国南车8英寸专业芯片生产线都有新的突破，特别是在沟槽技术、高能离子注入、超薄片加工、激光退火与铜金属化工艺等关键技术的运用方面都走在国际前列。

据他介绍，今后，中国南车半导体产业将以IGBT关键技术为核心，依靠公司广大的应用平台，以轨道交通领域的应用经验为基础，全面发力电动汽车、风力发电、柔性直流输电和光伏等领域；开发6000V、9000V的IGCT以及配套二极管，推动我国变频技术进步与产业升级。