Samsung 40 n 2G bit DDR3 製程進入量產，DRAM 產業又將進入新一輪淘汰賽

分析如下；

一、 Intel 起動 DDR3 世代 

二、 40 n 比 50 n 省 30% power consumption

在 Notebook application 與 portable device 具優勢 

三、 40 n 比 50 n 具產能優勢 

2G bit DDR3 以2009/07/22 Dramexchange 價格美金 3.3

12 吋 Wafer 依製程不同的產出量與 Wafer 價值為； 

製程	Gross die	Good die	Wafer 價值
40nm	1,250	1,000	3,000
50nm	800	640	1,920
65nm	450	360	1,080

Good die = Gross die * 80%

Wafer 價值 = Good die * (3.3– 0.3)

封裝測試費用 = 0.3

四、 2 G bit Die 在 DRAM module 優勢 

1G bit DRAM module 最高容量為 2GB

2G bit DRAM module 最高容量為 4GB

五、 40 n 每顆攤提美金 1.0 還是較 50 n 具競爭優勢 

Samsung 12 吋廠 Wafer 產能為 350K/ 月 

Samsung 計劃投入約 8 億美元提升製程至 40 n

以一顆 2G bit DDR3 攤提美金 0.5 ，需攤提 16 億顆 

以一顆 2G bit DDR3 攤提美金 1.0 ，需攤提 8 億顆 

Samsung 12 吋廠 Wafer 產出 2G bit DDR3 量與值 

Good die/Wafer	Wafer 產能	月產量	月產值
1,000	350K	350M	1,050M

每片 12 吋 Wafer 攤提 

Good die/Wafer	0.5/Die	1.0/Die	1.5/Die
1,000	500/Wafer	1,000/Wafer	1,500/Wafer

每顆攤提美金 1.0

40 n 製程攤提後 每片 產值為 3,000– 1,000 = 2,000

是高於 50 n 製程 每片 產值的 1,920 。 

由於全球 PC DRAM 市場約 3 億台，32 bit Window 作業系統 DRAM 需求量為每台 4GB。DRAM 市場為 12 億 GB，換算 2G bit 需求量量為 48 億顆。

Samsung 12 吋 Wafer 產能為 350K/月，可產出 350M/月，年產出量為 42 億顆，可達 PC DRAM 市場需求量的 87.5%。

這說明 PC DRAM 市場會呈現過飽和狀況。