產品批號: 302268.1

影響片數刻號:24片

失效電性或超出線上規格: 1. IGOX2_PW-1 fail, 2. 進行 GOI 測試, LV GOI fail

相關生產站點機台:NBURY-IMP @IM-8

異常原因:IM-8 2013/01/09於18:30分更換氣瓶,此Lot 有未植入wafer 需執行Rework 補植入

異常處理: Check 機台Log: 刻號#2-8 未RUN 其餘已RUN, 以此條件執行Rework; Check Rework單:Rework #1 #9-24, Rework 相反造成 #2-8 全未RUN, #1, #9-24 Double IM

矯正動作: MO, 再教育

產品批號: 22593A.1

影響片數刻號:12片, #1-6/#13-18

失效電性或超出線上規格: 刻號平邊色異

相關生產站點機台:MET1-SPU ANNEAL@RTP-1

異常原因:RTP-1 Door 密合不佳,EQ確認Door作動端parts狀況,發現為Door 連桿上的止付螺絲經多次作動容易有鬆拖現象,進而導致空氣由Chamber 口進入與產品metal film, 反應呈現的色異現象.

矯正動作: 更換零件

產品批號: 313749.1, 313748.1, 313746.1, 313744.1, 313743.1, 30266A.1

影響片數刻號:98片

失效電性或超出線上規格: pMOS_Vt

相關生產站點機台: FOX-OXD@FL-1

異常原因:SPIKE ZONE2 T/C 老化，造成SPIKE ZONE2抽出來CHECK時，發現一條白金線已有短路現象,但造成此現象, 主因為spike t/c前端陶瓷保護套已斷裂進而造成T/C溫接點, 受後方固定T/C彈片擠壓, 經長時間高溫影響導致T/C異常

矯正動作: 1. SPIKE T/C保護外管請廠商製作並重新上機 2.高溫程式RUN的SPIKE TC訂為每一年需取出T/C CHECK T/C整體的完整性及白金部份的氧化現象。

產品批號: 304003.11

影響片數刻號:8片, #07 ~ #14

失效電性或超出線上規格: Ion_JPB & Vth_JPB

相關生產站點機台: PBODY DRV過深@FA-3

異常原因:suspect Vt shift caused by B consumption in oxidation during PBODY DRV. The oxide formed in ramp-up step is all for wafer surface issue after drive-in

矯正動作: DoE to study LoO2 effect on WAT: getting worse Vt of DoE on low O₂ purge at ramp-up step. Process window too tight!

產品批號: 252172.1

影響片數刻號:20片

失效電性或超出線上規格: 1. LV GOX breakdown 較差, 2. LV GOX leakage 漏電比率較高

相關生產站點機台: GOX CLEAN@Clean hood

異常原因:PE未遵循RWK流程:252172.1#10 清洗 CRC-3->HF-5->RCA-1->RCA-2 check可去除,but 252172.1當時只有#10進行rwk,其餘wafer PE OM 沒check到水痕pass. 再長完GOX後又被KLA highlight出來.

矯正動作:RWK route revise, internal lesson learned

產品批號: 252174.3, 252177.3, 25260A.2, 30122A.2, 30108A.3

影響片數刻號:39片

失效電性或超出線上規格: C19L2—VtP1, IdsatP1 fail, LVGOI fail by early leakage

C59LX—inline particle high after poly deposition

相關生產站點機台: POLYR-CVD@FI-4

異常原因:FI-4 Pump fail in processing,由於1/18下午歲修陸續停機,日班在晚上7點多時,將已處理完的I-2 先關電,而此電路在沒供電下會停止pump的MB動作,此時I-4剛好測漏完之後的stable步驟,並無通gas,直到通SiH4時因MB沒動作造成pump抽氣速度減弱,才觸發HSP alarm

矯正動作:Rework flow: RCA1 clean to remove particlesHF dip 5sec to remove oxidepoly deposition. suggest to scrap directly if interruption occurred in poly-Si deposition.

 Baseline I-V curve.

產品批號: 32140A.1, 326501.1, 32763A.1, 326502.1

影響片數刻號:95片

失效電性或超出線上規格: inline TEOS particle high

相關生產站點機台: N+_OXD@FL-4

異常原因:FL-4機台pump fail，當時跑SPACER_TEOS layer，共 4 lot。製程判斷在抽真空階段發生異常，認為為升溫前abort，TEOS尚未沉積，release hold lot重run原程式。

矯正動作:應先檢查particle, 再決定是否須做刷洗再重run原程式。

產品批號: 327618.1, 325368.1, 325365.1, 326488.1, 32770A.20, 32770A.1

影響片數刻號:97片

失效電性或超出線上規格: Cont_Poly fail (外圍偏低 OOS)

相關生產站點機台: POLY Deglass@HF-3 tank in HD#6

異常原因:HF-3 熱交換器的teflon管路磨耗破裂

晶面色差： 1.晶面兩側陰影，重工後無法去除。晶面色差為淺白色輪廓，比對HOOD cassette相似。

矯正動作:1. WAT Spec. tighten 2. O.I. update 3. PFA pipe lifetime~2 years

產品批號: 320680.1, 320664.1

影響片數刻號:21片

失效電性或超出線上規格: WAT NPNBeta and Rs_P+ OOS, RS_SP OOC

相關生產站點機台: P+ IMP@IM-9

異常原因: IM-9 Beam unstable issue

矯正動作: 1.針對 Disk Beam current 卡 Range +/- 20% 2. GSD 機型Extraction組裝校正 SOP 建立

產品批號: total 17批

影響片數刻號:351片

失效電性或超出線上規格: WAT Rs_N+/Rs_P+ fail, 阻值 Rs_N+, Rs_P+ OOS 過低, HV PMOS Vt OOS 過高

相關生產站點機台: CONT-RF@RTP-1

異常原因: 懷疑RTP溫度shift

矯正動作: 設備對機台校溫，每次校溫調整值須與baseline之調整值做比較，若超出baseline調整值+/-10C，則需使用備用新品TC wafer作double check，避免校溫異常

參考文獻:

Defect Formation during Annealing of Thin Oxides on Silicon

The role of atmospheric oxygen and water in the generation of water marks on the silicon surface in cleaning processes