「對此，Patel 指出，中芯國際工程師自己洩露了這些機器容易出現問題的投訴，中國並未製造出功能良好的 ArF 曝光機。並強調，中國使用外國設備製造晶片的技術落後很多年，其國產設備更是落後外國幾十年。」

中國廠商有生產DUV機台，不過頂多就是點13微米等級（有報導說最新的中國光刻機量產機型是90奈米），56奈米好幾年前就說研發成功了，但沒有收到任何訂單。中國機台精度不夠，採用的人很少。

原因是光刻機是晶圓代工廠的最重要生財工具，能決定其量產晶片的精度、速度、以及良率，所以不合格的光刻機，即使貼錢請代工廠用，也都沒人要用的。而曝光的精度主要取決於鏡頭組，其中的鏡片研磨精度是1/10奈米以下，還要透光、濾光、防散射等光學設計，所以全世界只有兩家合格的工廠在做，中國能製造這個，我是非常懷疑的。更不要說量產與良率的關鍵，晶圓曝光後，經高速移動後，要能瞬間靜止，還要對準，所用的精密機械減速機構全世界也沒有幾家做的出來。把DUV光刻機推進到14/7奈米的關鍵，浸潤式曝光法所需的水封機構，要能散佈的快又不起氣泡，到了晶圓邊緣也不漏液，需要很好的流體力學設計，台積電與ASML也是花了十幾年才搞定。因此，如中芯工程師的爆料，使用外國半導體製造設備的技術上，落後台廠很多年，而在製造半導體製造設備上，中國至少落後幾十年，是可信的推估。

「工研院產業科技國際策略發展所研究總監楊瑞臨（Ray Yang） 也說，中芯國際可以使用 DUV 製造 7奈米晶片，但良率非常低，也不具成本優勢。當前因華為不能找外國代工廠，中國嚴重依賴中芯生產其急需的晶片，可能用於「非商業性的特殊用途」。」

台積電在7奈米以前的製程也是採用DUV曝光機，中芯有意的採買跟台積電一模一樣的機台與晶圓材料、化學藥劑等，所以中芯用原先的ASML DUV曝光機，1百多層反覆曝光，是有可能做出7奈米產品，5奈米是其極限。不過，過程複雜，良率極低，成本就高昂。

（晶圓代工廠的計價是以每片晶圓報價的，而所謂製造良率低而造成的成本高昂，是指晶片設計商，從每一片晶圓中能得到的好晶片數目，會因良率降低而減少。如此一來，每顆好晶片的製造成本就因良率降低而上昇了。）

半島電視台的原始英文報導在這裡：https://www.aljazeera.com/....../china-great-leap......

原文報導有更多細節，推薦閱讀。

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牛皮吹破了！中芯工程師爆料 中國產DUV問題一堆 - 自由財經