英特爾新款處理器Lynnfield及新一代筆電用Calpella平台等，均開始支援DDR3，加上第三季PC相繼推出支援DDR3新機種，帶動DRAM廠轉往生產DDR3。

DDR3售價較高，但相對廠商成本也墊高，DRAM廠的利潤利空增加有限，但對下游封測廠因拉長測試時間，帶動營收獲利成長效益會更顯著。

根據集邦科技報價顯示，DDR2 1Gb顆粒價格從5月高點1.34美元下滑，至今在1美元附近盤整。DDR3 1Gb顆粒價格則在1.5美元到1.7美元區間內，價格比DDR2高出50% 。

DRAM廠表示，DDR3目前每顆售價在1.3美元附近，走合約市場銷售有利可圖。但DDR3的榮景恐只能到一個季度，下半年各家大廠加重DDR3產出比重，第四季價格能否撐住，還須觀察。

集邦統計，DDR3整體投片量由今年首季的15%，大幅上升至第四季的30%，其中以韓系與日系廠商轉進DDR3最積極。台系廠方面，正式投入量產的DRAM廠僅有南科、華亞科，占全球DDR3投片量不到10%，其餘90%投片量都由韓日大廠瓜分。

受到金融風暴衝擊，各DRAM廠財務狀況受傷程度不一，導致拉大資本支出能力的差異，更讓DDR3的技術轉進出現極大落差，與各家DRAM廠在70奈米製程或是65奈米製程齊頭並進的情況，不可同日而語。韓系廠商方面，除轉進DDR3積極，採用50奈米製程更居領先地位，預計到年底，至少有70%以上DDR3將使用50奈米製程所製造。

南科發言人白培霖認為，大廠減產效應持續，6月DRAM合約價持續走俏，漲幅有望達一成。 （本報系資料庫）

DRAM廠5月營收齊揚。南科（2408）、華亞科（3474）同創下今年來單月新高；力晶（5346）月增率超過四成，是今年單月次高；茂德（5387）也可望比4月成長一成左右。DRAM現貨價也在連續15個交易日「不漲」後，昨天呈現小幅反彈。力晶統計5月營收15.06億元，月增率43%，成長幅度為同業之冠；前五月營收64.85億元，則比去年同期衰退約75.12%。力晶表示，該公司65奈米製程良率穩定，加上DDR3順利量產，鑑於下半年需求可望回溫，力晶已縮短無薪假天數並逐步提升產能，以爭取商機期能儘早轉虧為盈。華亞科5月營收25億元，月增率4.76%；前五月營收112.42億元，比去年同期衰退約24.4%。華亞科昨天下跌0.5元，收16.3元。

華亞科5月產出12吋晶圓8萬片，其中2到3萬片交給美光；8月前將月產出拉升至10萬片，分給合作夥伴美光（Micron）的量將提升至5萬片，同時積極提升50奈米世代製程。

南科5月營收28.9億元，比4月增加9.22%，已連三個月走揚；前五月營收117.09億元，比去年同期衰退22.83%。南科昨天下跌0.03元，收5.87元。

南科已在日前股東常會中通過減資66.43%，並規劃在6月底前進行第一階段私募增資，拉抬每股淨值後，股票交易方式最快在11月脫離全額交割。南科認為，在大廠減產效應持續下，6月DDR2合約價持續走俏，漲幅有機會達到一成，預期未來二、三個月價格仍看漲；但第四季則還很難說。

集邦科技（DRAMeXchange）報價指出，1Gb DDR2有效測試顆粒（eTT）上漲1.69%，均價為1.2美元，終止連續15個交易日「不漲」態勢。

6月上旬DRAM合約價出爐，主流規格1Gb DDR2報價最高漲幅達6%，已是連續二個月報價上揚，淡季不淡有助南科（2408）、威剛（3260）、創見（2451）等相關業者營運。業者認為，價格仍有上漲空間，第三季傳統旺季效應一定會發生，現貨價格下半年也有機會挑戰晶片廠損益平衡點的1.5美元。

根據集邦科技（DRAMeXchange）昨（8）日最新報價，6月上旬1Gb DDR2晶片合約價延續4月下旬以來的上漲格局，漲幅介於2.46%至6%之間，均價為1.16美元；2GB DDR2模組報價同步強勢，上漲2.22%至5.26%，均價為21.5美元。

儘管面臨產業傳統淡季，但業者對DRAM價格走勢仍正面看待。台灣最大DRAM合約市場供應商南科認為，DRAM現貨價格前波急漲，但合約市場價格並未跟上漲幅，加上合約市場仍有一定需求存在，因此在6月上旬報價調漲後，6月下旬合約價仍可望走揚，帶動6月整體漲幅可達一成，且未來二至三個月價格仍然看漲。

南科指出，目前消費性產品用DRAM、新興市場及中國大陸等地需求相當不弱，未來二至三個月合約價可望穩定攀升，只是目前部分DRAM廠已開始增加產能，因此第四季合約價走勢仍很難判斷。

現貨市場方面，全球最大記憶體模組廠金士頓（Kingston）認為，近期市場買氣雖比前一陣子清淡。但1Gb DDR2晶片價格在1.2美元附近有撐，顯示上游晶片廠已有共識，不會削價出貨，讓價格走勢有所支撐。

金士頓預期，今年第三季DRAM傳統旺季行情一定會有，除了返校旺季外，個人電腦大廠也會陸續推出新產品，都將帶動市場需求，進而拉升價格，估計1Gb DDR2晶片價格有機會站上1.5美元。

威剛也認為，下半年DDR2晶片價格有機會回到上游晶片廠的成本區，預期DRAM產業明年會有真正的大行情出現，主要因為今年DRAM廠都沒有錢投資，增加產能有限，將反應在明年的市場供需上。

DRAM現貨價昨日再度大漲6%，均價站上具指標性的1.2美元，已達韓國三星、台灣力晶（5346）與瑞晶等大廠的現金成本附近，現貨價站穩這個關卡，意味著業者已逐步邁入現金流入的狀況，營運出現轉機。

這已是現貨價續三天大漲，累計漲幅逾15%，並創2月上旬來新高。DRAM現貨價格大漲，也讓市場買氣再度回籠。南科（2408）發言人白培霖便透露，昨天客戶突然蜂擁而至，好一段時間未曾出現過的「追單」狀況再度上演，市況突然活絡。

集邦科技（DRAMeXchange）昨晚最新報價，1Gb DDRII有效測試顆粒（eTT）再度勁揚6%，均價為1.2美元；品牌顆粒報價漲幅更勝於有效測試顆粒，漲幅超過7%以上。

白培霖分析，這波市場需求回籠，主要仍在於減產效應及業界擔心拿不到貨的預期心理，並促成價格大漲。

白培霖說，南科已在本月上旬調漲所有客戶合約報價，以目前現貨價持續上漲的態勢來看，本月下旬合約價仍會繼續跟進上漲，預期漲幅在一成以上，伴隨減產效應及需求回穩下，今年有機會持續上調.。

受惠價格大漲，DRAM族群昨天也強勢表態，上游晶片廠力晶、南科（2408）、華亞科（3474）、華邦電（2342），以及下游模組廠威剛（3260）、勁永（6145）等，都以漲停板收市。

集邦科技表示，今年全球DRAM產業資本支出約54億美元，年減56%，新增產能得以受到控制，伴隨業者陸續轉進50奈米製程生產，有助大幅降低成本。

DRAM業界表示，中國大陸家電、PC下鄉，帶動亞太地區記憶體需求加溫，加上國內外DRAM廠持續減產，先前庫存又快速消化，導致近期價格上漲，這波漲勢可說「天時、地利、人和」，不排除挑戰1.5美元。

記憶體大廠持續減產，加上市場需求逐漸增溫，DRAM、Flash（快閃記憶體）現貨價昨（14）日同步上漲，且均創下近月來波段新高；業界預期，近日將開出的合約價將受激勵上揚，有助減緩國內DRAM廠現金流出速度，模組廠的庫存回沖利益也持續攀升。

根據集邦科技交易網站上的最新報價，DRAM主流規格DDR2 1GB ett（有效測試顆粒）現貨價，每顆價格回升至1.06美元、DDR2 512MB ett顆粒價亦站回0.46美元；三星Flash記憶體32GB MLC（多層單元規格）價格也分別漲到8.71美元，創近月新高。

DRAM業者表示，國內外DRAM廠持續減產，市場先前庫存大減，且近期亞太地區市場需求強勁，通路商、系統商為免下半年旺季供貨時斷炊，近期逐漸增備庫存，帶動現貨行情走高。

在國內廠家，力晶（5346）、南科（2408）、華亞科（3474）、茂德（5387）目前仍處於減產狀態，力晶、茂德減產幅度超過五成，南科、華亞科估計減產約二成。

國外廠商方面，包括南韓三星（Samsung）與海力士（Hynix）、日本爾必達（Elpida）、美國美光（Micron）等，在不堪長期虧損、現金流出下，目前平均減產一到二成。

中國大陸的家電、PC下鄉政策，帶動亞太地區對記憶體需求轉強，激勵現貨價格近期向上走揚，系統廠也擴大備貨下單，帶動合約價格開始上調，海力士、南科等合約大廠，目前傳出下旬合約價仍有調升空間。