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如何重建崩解中的記憶體產業?
2009/07/05 21:26:40瀏覽672|回應0|推薦1

這篇還蠻"硬"的報導, 是取自2009六月底的EEtimes, 文章內容裡講了很多對未來展望的看法, 這部份我就不再贅述了。

個人比較憂心的是: 台灣以DRAM為首的記憶體產業似乎仍在等待春燕, 還在以為「拚產能」的時代尚未過去、「大哥仍然需要小弟」、「大廠吃肉、台廠喝湯」的模式仍然有效! 我不知道事實是不是這樣? 不過, 大老闆們情願相信: 過去的成功模式, 仍可適用於未來......(迷之音: 反正又不是花他們自己的錢?)

個人對記憶體有一點小小的研究: 那個產業從「元件及電路設計」到「晶圓製作」、「封裝測試」、「後續的銷售」, 甚至其間各個環節的「良率提升」都是相當艱難專業知識的累積, 轉眼間變成比傳統業還不如的大怪獸, 情何以堪!?

(迷之音:有這麼難嗎? 花錢買就好了!
        沒錢? 向股東"騙"嘛?
        騙不到? 和"大有為"的政府哭嘛.....)

像恐龍終將消失一樣, 力氣和巨大的身軀不再是它們的依靠, 反而變成累贅; 只是「台灣以DRAM為首的記憶體產業」真的是度不過「景氣冰河期的恐龍」嗎!?

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記憶體產業的經營模式面臨崩解,產業觀察家認為,解決之道是更理性的行為以及整併。以上是一場於美國舉行的、探討記憶體技術與市場趨勢的Memcon研討會上,某業界高層所發表的看法。

持續低迷的記憶體產業景氣讓所有的供應商荷包大失血,他們之中有不少都面臨巨額虧損;而且奇夢達(Qimonda)與Spansion已經分別聲請破產。誰會是下一個?產業觀察家現在懷疑台灣的眾家DRAM製造商可能撐不下去,甚至認為就連Elpida、Hynix與Micron等大廠也命在旦夕。

不過也有人預期,記憶體產業將在09年第四季或2010年第一季復甦;其他人則不能確定,因為市場需求與記憶體平均銷售價格(ASP)仍然疲軟。

「記憶體產業經營模式已經崩解;」一家新創非揮發性記憶體供應商Unity Semiconductor董事長、總裁暨執行長Darrell Rinerson表示,供應商們正在為生存而相互鬥爭,而誰將能成為產業復甦的最後倖存者,將取決於供應商的心態。

記憶體產業的低迷時期已經持續多年,該市場衰退的原因包括需求不振、價格疲軟以及供應過剩。眼前的蕭條情況沒什麼特殊之處,需求水準仍然低落,而且最近剛有過一波無節制的、不理性的產能擴充潮發生,尤其是在台灣。

但Rinerson認為,這一次記憶體產業衰退在某些方面又與過去的景氣循環時期有所不同。在過去,景氣大好時能讓供應商賺到不少現金,可直接用於新資本設備的添購或產品的創新,而現在,榮景雖能帶來現金,作為資本支出卻嫌太少:「供應商沒有足夠的現金來實現創新。」

對Rinerson來說,產業前景是黯淡無光的,沒有徵兆顯示記憶體產業模式能夠被修復,尤其多數記憶體業者都負債累累,不再是創新者;當記憶體供應商們無法逃出嚴重的負債循環,記憶體產業模式也就會持續往下墮落。

半導體分析師鼓吹記憶體製造商整併已有好一段時間,他們已經將政府金援策略擱在一邊,認為只有整併才能使記憶體產業恢復獲利與健全;分析師並指出,記憶體供應商必須在產能擴充與產品定價上採取更理性的態度。

這些呼籲大多數是直指台灣的記憶體供應商,但當地的DRAM廠已對整併表示抗拒。

幸好記憶體產業還有一線生機──據Rinerson表示,新一代記憶體技術已經邁入成熟階段,特別是伺服器等系統應用的儲存級記憶體(storage-class memories);所謂的儲存級記憶體,號稱是可作為處理器與系統磁碟之間I/O間距(gap)之橋樑的新一代元件。

儲存級記憶體包括部份(非全部)所謂的通用記憶體(universal memory'),例如FRAM、MRAM、相變化(phase-change)、RRAM等新技術;不過這些新一代技術大部份距離實現還有數年,有人甚至懷疑這些新技術是否能真的脫離原型階段進入量產。

因此產業顧問公司JLC Associates總裁Jim Cantore認為,大多數的新記憶體技術恐怕暫時難以擺脫窘境,而現有的記憶體技術如DRAM、NAND與NOR,將繼續擴張它們的市場版圖並開創新應用。

新一代記憶體技術的開發者還在積極開發產品,他們也有很好的理由──市場研究機構Web-Feet Research執行長Alan Niebel估計,儲存級記憶體市場將在09年由0達到5,000萬美元,甚至在2015年擴張到60億美元。

在該領域也有不少廠商,Unity Semiconductor就是其中之一,該公司的CMOx技術是以一種稱為導電金屬氧化物(conductive metal oxides)的新材料為基礎,據說能導致離子運動;利用該技術,Unity Semiconductor開發出一種被動式可重覆讀寫交叉點記憶體陣列(passive rewritable crosspoint memory array),號稱在記憶體單元內不需要電晶體。

另外還有一家新創公司Qs Semiconductor不久前神秘兮兮地出現,說他們正在開發一種以碳矽(carbon-silicon)或碳化矽(silicon carbide,SiC)材料為基礎的、採用矽基板的非揮發性記憶體。

另兩家記憶體大廠Numonyx與Samsung Electronics,不久前也宣佈將聯手開發相變化記憶體技術,預計今年可訂出共同規格,並在2010年推出產品。

新元件也需要新的標準;Numonyx表示,以JEDEC 42.6為基礎的LPDDR2介面將成為新一代1Gbit、45nm製程記憶體的標準,目標應用於手機、嵌入式記憶體與高階運算裝置。手機大廠Nokia也支持該標準;據了解,該公司計劃在手機內使用相變化記憶體技術,這也是促使Numonyx與Samsung策略聯盟的主因。

至於傳統記憶體技術的前景,狀況則有些複雜;分析師表示,包括ARM、Denali、Synopsys、Virage等記憶體介面IP供應商的業績,目前已看到好轉。NOR/NAND快閃記憶體市場預計在09年達到185億美元規模,較08年衰退9.5%。

Web-Feet的Niebel預期,整體記憶體產業的衰退情況將在今年第四季或明年第一季終止,記憶體價格已經趨於穩定,多個應用領域也開始看到微幅需求成長。JLC的Cantore補充指出:「NAND市場的恢復速度會比DRAM市場來得快。」

在DRAM市場部份,Lazard Capital Markets分析師Daniel Amir表示,DRAM價格平穩,若狀況持續,DRAM廠商可能會開始提升產能;目前整體DRAM庫存水位也在低點。

(參考原文: Exec: Memory business model is broken,by Mark LaPedus) From: EEtime090629

中文部份引用自電子工程專輯

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引用
引用網址:https://classic-blog.udn.com/article/trackback.jsp?uid=chwu246&aid=3106431