IGBT﹝絕緣柵雙極型晶體管﹞（Isolated Gate Bipolar Transistor）在八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型複合電氣電子器件。 IGBT將MOSFET與GTR的優點集於一身，既有：高阻抗的輸入、高速度、良好的熱穩定性、採用電壓驅動，又具有：通態壓降低、可承受高電壓、大電流的優點。 IGBT的新技術、新工藝不斷有新的突破；應用頻率的硬開關 可以由5KHz到40KHz，軟開關由40KHz到150KHz。應用功率可由5kw到幾百kw。IGBT器件將不斷開拓新的應用領域，爲高效節能、節材，爲 新能源、工業自動化(高頻電焊機、高頻超聲波、逆變器、 斬波器、UPS/EPS、感應加熱)等提供了無限的商機。 最新的高速電氣化火車也是應用IGBT來控制速度的。