網路城邦
上一篇 回創作列表 下一篇   字體:
【XRF】CIGS薄型太陽能電池的品管檢測
2013/12/10 08:13:26瀏覽11|回應0|推薦0

 

 CIGS薄型太陽能電池的品管檢測 

近年來,太陽能產業發展迅速,不只在技術上,轉換效能、厚度、重量,甚至到太陽能板的製程,都有一些突破性的改變,從以往的矽晶型到現在的薄膜化合物型(EX:非矽晶、CIGSCdTe…等等),朝向輕薄且高效能的方向邁進。CIGS薄膜太陽能電池,藉Cu()In()Ga()Se()四種原料的最佳比例,組成太陽能板的關鍵技術。由於具備光吸收能力佳、發電穩定度高、轉換效率高,整體發電量高、生產成本低以及能源回收期間(Energy payback time) 短等諸多優勢,CIGS太陽能電池已是太陽能產業明日之星,與傳統之晶圓型太陽能電池分庭抗禮。
 
    CIGS的關鍵技術而言,鍍層的比例會直接影響太陽能板的效能,目前薄型太陽能產業,在技術上還是以濺鍍共蒸鍍為主;而CIGS的製程,首先是在玻璃基板上形成鉬的背面電極膜,接著是CIGS光吸收層,高抵抗緩衝層等成膜過程。CIGS的光吸收層製程手法可分為「硒化法」及「共蒸鍍法」兩種。
   
    硒化法是用濺鍍法形成金屬薄膜後,使之與硒(Se)反應的做法;若是使用硫(S)來取代硒,則是稱為「硫化法」;除此之外,還有一些廠商則是使用硒化後再進一步硫化的「SAS(Sulfurization After Selenization)法」。共蒸鍍法,則是在加熱的基板上,將CuInGaSe四種元素同時蒸鍍的方法。

CIGS製程比較

 

順序 硒化/硫化法製程 共蒸鍍法
1 玻璃基板準備(切斷,洗淨)
◎通常使用青板玻璃
◎液晶顯示器用玻璃或不鏽鋼箔也可以使用
2 使用濺鍍形成金屬背面極
3 形成第一層迴路(雷射刻寫)
4 鍍上金屬前驅物薄膜(Cu-Ga合金、In) 形成P型光吸收層(共蒸鍍法)
◎在加熱到550左右的基板上,CuInGaSe同時蒸鍍
5 形成P型光吸收層(硒化/硫化法)
6 形成n型高抵抗ZnO系緩衝層(溶液成長法) 形成n型高抵抗CdS系緩衝層(溶液成長法)
7 形成第二層迴路(機械刻寫)
8 形成nBZO窗層(透明電膜)
◎用MOCVD形成ZnO:B薄膜
形成nAZO窗層(透明導電膜)
◎用濺鍍法形成ZnO:Al薄膜
9 形成第三層迴路(機械刻寫)
10 焊接在電壓上焊上焊球
11 封裝壓合處理

 




由於CIGS的比例會影響實際的效能,所以在做品管檢測以及研發時,CIGS的比例數據很重要,目前市面並非所有儀器皆可檢測CIGS的比例,因為鍍層很薄,所以訊號量很少如果要檢測必要靈敏度高的XRF儀器,SEA1000AII & SEA1200VX就可以符合這樣的需求,在檢測上更是屬於非破壞性的檢測,並不會對產品造成任何的影響,未來不管是研發或是品管都可以進行有效的檢測。
 以下是CIGS的一些相關實例:



圖1.硒化前 ,Cu /In /Ga /Se 測試結果。                                                             



圖2.硒化前 ,Cu /Ga /Se 測試能譜。

圖4.
硒化前 ,In測試能譜。



圖4.硒化後 ,Cu /In /Ga /Se 測試結果。


圖5.
硒化後 ,Cu /Ga /Se 測試能譜。

圖6.硒化後 ,In測試能譜。

藉由以上的案例得知,一般XRF在檢測時是將所有照射範圍內的元素都激發出來,Sekio的軟體可以將CuInGaSe個別獨立出來偵測,對於應用在已知材料的物質中去做檢測可以有效的分離出來,對於太陽能板的製程以及研究上能夠做有效的支援。
(部分資料來源:Nikkei Microdevices )

科邁斯集團 
科邁斯科技
()有限公司(TEL02-89901779www.techmaxasia.com
先馳精密儀器
()有限公司 (TEL : 02-89901580)
www.techmark-asia.com

 

 

( 不分類不分類 )
列印 加入我的文摘
上一篇 回創作列表 下一篇

引用
引用網址:https://classic-blog.udn.com/article/trackback.jsp?uid=techmark&aid=10034879