我國在22納米技術這一高端研發上有所建樹——4年前，這會被看做是天方夜譚。然而，中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心團隊實現重大突破，讓這一夢想成真。到目前為止，全球也只有英特爾公司在22納米技術代實現了大規模生產。

中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心(以下簡稱先導工藝研發中心)通過4年的艱苦攻關，在22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設上，實現了重要突破，在國內首次采用後高K工藝成功研制出包含先進高K/金屬柵模塊的22納米柵長MOSFETs，器件性能良好。

由於這一工作采用了與工業生產一致的工藝方法和流程，具備向產業界轉移的條件，因而對我國集成電路產業的技術升級形成了具有實際意義的推動作用。同時，該先導工藝研發中心建成了一個能夠開展22納米及以下技術代研發的工藝平臺。