首批進入量產的產品將是 SIM 卡應用的安全晶片，預計將於 2012 下半年進行製程及產品驗證。在競爭激烈的安全 IC 市場上，採用 65nm 技術生產具有相當大的競爭優勢，因為相較於舊有技術，65 nm 技術能夠大幅縮小晶片體積，進而提高效率。此外，12吋晶圓亦較8吋晶圓更具生產力。

英飛凌晶片卡及安全業務事業處營運部副總裁 Pantelis Haidas 表示，這是英飛凌與台積電合作開發採用 65nm eFlash 技術的首項成果。該公司依據資訊技術安全評估共同準則(Common Criteria for Information Technology Security Evaluation)所規格的生產環境中，成功採用了這項先進的12吋晶圓技術，並為往後可提供各式晶片卡和安全防護應用的產品建立基礎。

適用於晶片卡及安全防護應用的 65nm eFlash 技術將會是英飛凌的技術基石，讓公司得以發揮創新能力，專注開發生產客製化的安全性產品，以最佳成本效益比，針對智慧卡尺寸及其他應用裝置提供適當的安全等級。除與台積電合作開發12吋晶圓外，英飛凌更將合作範圍延伸至 90nm eFlash 節點。

英飛凌科技並於 2011 年智慧卡暨身份識別技術產業展 (CARTES & IDentification 2011) 中展示該晶片卡及安全性解決方案。

資料來源: eetTaiwan 2011/11/25