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STT-MRAM
2013/02/03 10:50:35瀏覽403|回應0|推薦1

STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memories) uses spin-polarized current instead of magnetic field to switch magnetization of storage layer.  SST-MRAM can be scalable even smaller than 20nm by simulation.

( 心情隨筆心靈 )
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