7 奈米製程進展公開，台積電良率很健康、三星還要再等等

就在日前半導體龍頭英特爾（Intel）宣布投資 70 億美元，用以升級在美國的 Fab 42 工廠，並準備 3 到 4 年後生產 7 奈米製程，正式宣告拉開了 7 奈米製程世代的半導體製程競爭序幕後。競爭對手三星與台積電，也在日前的國際固態電路研討會 （ISSCC） 會議上公布了自家的 7 奈米製程進展，宣示進入 7 奈米製程世代的決心。

根據外媒 EEtimes 的報導，在 ISSCC 會議上，台積電展示了 7 奈米 HKMG FinFET 製程的 256Mb SRAM 晶片，其核心面只有 16 奈米製程的 34%，而且良率很好。至於，三星所展示的 7 奈米製程 SRAM 晶片只有 8Mb，而且更多的只是研究性質。因此，據說三星要等 EUV 光刻技術更加成熟，才會有進一步的進展。報導中進一步指出，台積電雖然在 16 奈米 FinFET 的技術上吃過虧，不過在 10 奈米、7 奈米製程上依舊野心勃勃。而且，預計 2017 年上半年將使用 10 奈米製程為蘋果量產 A11 處理器，加上這次公布的 7 奈米製程進展看起來也很順利，等於宣告台積電在這兩個世代技術進步上都大有斬獲。

根據台積電公開的 7 奈米製程所製造的 256Mb SRAM 晶片來看，位元單元面積只有 0.027um²，7 層金屬層製程，整個核心面積也只有 42mm²。根據台積電存儲業務部門的高層表示，台積電的 7 奈米製程核心面積只有 16 奈米製程的 0.34 倍。而良率問題，台積電在論文中表示，7 奈米製程良率很 「健康」（healthy），顯示台積電對此信心十足。

在此同時，台積電的競爭對手三星也公開了 7 奈米製程的部分資訊。不過，三星介紹的 SRAM 晶片容量只有 8Mb，更像是研究，而非開發性質。目前三星也同時針對現有設備及 EUV 製程開發了兩種修復技術，結果顯示 EUV 製程部分表現較好。不過，修復處理並非半導體製造的必須過程，而是三星驗證 EUV 製程可以做到什麼程度的測試。

根據三星 2016 年公布的消息，三星在 7 奈米製程上是希望等到 EUV 製程成熟之後，再來做進一步發展。因此，根據業界分析，認為 EUV 製程必須要在 2020 年才會達到量產水準，屆時三星也可能較台積電在 7 奈米製程上有所落後。

（首圖來源：科技新報攝）