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在各國將逐步於2025至2050年全面禁售燃油車的趨勢下，將加速全球電動車銷售與拉抬SiC及GaN元件及模組市占，此外，能源轉換需求及5G通訊等終端應用快速增長，驅使第三代半導體市場熱度不減，進而帶動第三代半導體所需SiC及Si基板（Substrate）銷量暢旺。然由於現行基板於生產及研發上相對受限，迫使目前可穩定供貨的SiC及GaN晶圓仍侷限於6吋大小，使得Foundry及IDM廠產能長期處於供不應求態勢。

對此，基板供應商如Cree、II-VI及Qromis等計畫將於2022年擴增產能並提升SiC及GaN晶圓面積至8吋，期望逐漸緩解第三代半導體市場缺口。另一方面，Foundry廠如台積電與世界先進（VIS）試圖切入GaN on Si 8吋晶圓製造，以及IDM大廠如英飛凌（Infineon）將發表新一代Infineon Trench SiC元件節能架構，而通訊業者Qorvo也針對國防領域提出全新GaN MMIC銅覆晶（Copper Flip

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