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| 不分類｜不分類 2016/08/07 14:12:08 |
（中央社記者張建中台北28日電）記憶體製造廠華邦電總經理詹東義表示，過去 6年華邦電製程技術並未推進，自行開發的30奈米世代製程技術預計第 4季量產，將有助明年DRAM產品獲利提升。 華邦電下午召開法人說明會，公布上半年營運結果；華邦電上半年合併營收新台幣205.84億元，年增8%，毛利率29%，歸屬母公司淨利14.19億元，每股純益0.4元。 記憶體事業方面，利基型記憶體在網通及電視市場需求強勁下，上半年業績較去年同期成長5%；行動記憶體在特殊應用晶片需求增加，並成功打進一線廠客戶，業績也成長15%。 快閃記憶體在網通應用及1Gb以上高容量產品需求增加，上半年業績年增9%。 展望未來，詹東義表示，下半年營運將維持穩定，華邦電聚焦車用、工業及多晶片封裝(MCP)領域。 詹東義指出，華邦電於2010第4季自奇夢達技轉46奈米製程技術後，已有6年製程技術未推進，不過，今年第2季記憶體事業毛利率仍維持在24%水準。 詹東義說，華邦電自行開發的30奈米世代製程技術將於今年第4季導入量產，預期有助明年DRAM產品獲利提升，毛利率有機會拉高10至15個百分點；24奈米製程技術預計2018年上半年量產。 華邦電副總經理黃求己表示，今年資本支出約新台幣85億元，較原預期增加8億元，主要用以去瓶頸化及購買自動化與測試設備；至於Fab C新廠將於今年底完工，預計12月移入機台。1050728
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